Домофоны,
Видеодомофоны

flash

Системы
Безопасности

Новости



Новые разработки датчиков

На конференции по полупроводниковым элементам (ISSCC) инженеры из Массачусетского института сообщили о разработке нового датчика изображения, изготовленного по технологии CMOS с применением методов объемной компоновки.

Изделие, изготовленное с соблюдением норм компоновки микроэлементов в 0,35 мкм, обладает разрешением 1024x1024 пикселей (1 Мп). Исследователи заявляют, что такие модули можно объединять в массивы и создавать на их основе датчики большего разрешения. В перечне областей использования названы, в частности, приборы для разведки и охранные системы.

Объемная структура прибора состоит из семи слоев, связанных между собой. В первом слое расположены фотодиоды, выступающие в роли светочувствительных элементов. Убрав с этого слоя все другие элементы, разработчики обеспечили заполнение полезной площади фотодиодами на 100%. В следующем слое расположились цепи считывания и выборки, реализованные по технологии SOI-CMOS. В оставшихся пяти слоях пирога разместились 12 - разрядные АЦП (аналого-цифровые преобразователи - 64 штуки), схема синхронизации, адресный декодер, интерфейсные и другие дополнительные блоки. Датчик имеет шину I2C и два 12-разрядных интерфейса LVDS с пропускной способностью 512 Мбит/с.